7月20日音书，据Tomshardware报谈，中国3D NAND Flash大厂长江存储（YMTC）近日在好意思国加利福尼亚州北部地区再度对好意思光拿告状讼，指控这家好意思国公司侵扰了其11项专利，触及3D NAND Flash及DRAM居品。长江存储条款法院迫令好意思光罢手在好意思国销售侵权的存储器居品，同期支付专利使用费。
长江存储指控称，好意思光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND Flash以及好意思光的一些DDR5 SDRAM居品（Y2BM系列）侵扰了长江存储在好意思国提交的11项专利或专利苦求。
值得一提的是，2023年11月，长江存储还在好意思国加州北区地步调院对好意思光过火子公司好意思光浮滥类居品处事部拿告状讼，指控它们侵扰了其8项与3D NAND Flash有关的好意思国专利。
app开发以下是诉讼中援用的八项专利：
US10950623：3D NAND存储器件过火酿成步调
US11501822：非易失性存储器件及领域步调
US10658378：三维存储器件的纵贯阵列斗争（TAC）
US10937806：三维存储器件的纵贯阵列斗争（TAC）
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US10861872：三维存储装配过火酿成步调
US11468957：NAND存储器操作的架构和步调
US11600342：三维存储建造的读取本领
US10868031：多堆叠三维存储器件过火制造步调
本年6月7日，长江存储由在好意思国加利福尼亚州北区联邦地区法院拿告状讼，指控受好意思光资助的丹麦策划公司Strand Consult过火副总裁罗丝琳·雷顿（Roslyn Layton）散播失实信息，攻击长江存储的阛阓声誉和贸易相干。
昭彰，长江存储正试图通过专利来打击好意思光，以赢得扞拒好意思国打压的筹码。
好意思国商务部于2022年底将长江存储列入了实体清单，这使得该公司无法从好意思国公司赢得先进的半导体建造来制造跨越的128层及以上的3D NAND Flash器件。
尽管受到好意思国政府的严格搁置，长江存储仍赓续努力通过原有的建造及国产建造来匡助其发展其3D NAND Flash。该公司的Xtacking 3.0居品依然在勤恳的保管坐褥，并正在斥地新一代的Xtacking 4.0架构的3D NAND Flash。本年早些时候，长江存储还晓谕，它还是设法将3D QLC NAND Flash的永恒性大幅普及到3D TLC NAND Falsh的水平（达到4000个编程/擦除周期），这大大改善了低价SSD的特质。
剪辑：芯智讯-浪客剑